Micron, daldaki diğer rakiplerinden yüzde 50 daha süratli olan 276 katmanlı G9 TLC NAND flash belleğini duyurdu.

Micron dalın en yüksek performanslı NAND flash belleği olan 276 katmanlı TLC NAND belleğini duyurdu. Bu yeni bellek, tam 3.6 GB/s transfer suratı sunarak kesimdeki diğer rakiplerinden yüzde 50 daha hızlı. Ayrıntılar haberimizde…
Micron 3.6 GB/s suratında 276 katmanlı TLC NAND flash belleği tanıttı
Micron’un G9 NAND belleği, okuma ve yazma bant genişliği açısından piyasadaki diğer tahlillerden sırasıyla yüzde 99 ve yüzde 88 daha yüksek performans sunuyor. Bu performans artışı, SSD’ler ve gömülü depolama tahlilleri için büyük bir avantaj sağlıyor. Yani, dosya transferleri, uygulama yüklemeleri ve diğer data ağır iş yükleri artık çok daha süratli olacak.
276 katmanlı 3D TLC NAND, evvelki kuşak Micron NAND flash bellekler, 11.5mm x 13.5mm kompakt paketleme özelliklerine sahip. Bu da PCB alanını %28 oranında azaltarak daha fazla tasarım seçeneği sunuyor. Hem daha küçük aygıtlarda kullanılabiliyor hem de daha fazla depolama kapasitesi sunabiliyor.
Micron’un yeni G9 NAND teknolojisi, yoğunluk açısından mevcut rakiplerinden yüzde 73 daha fazla kapasite sunuyor. Bu, daha kompakt ve verimli depolama tahlilleri manasına geliyor. Micron’un Teknoloji ve Ürün Başkan Yardımcısı Scott DeBoer, bu yeni teknolojinin Micron’un tasarım ve üretim inovasyonundaki gücünü gösterdiğini belirtti. Micron, üçüncü jenerasyondur lider NAND teknolojileri sunmaya devam ediyor.
Micron, bu yeni kuşak NAND flash belleklerini bu yılın üçüncü çeyreğinde seri üretime geçirmeyi planlıyor. Bu yeni teknoloji, bilhassa yüksek performanslı ve verimli depolama tahlilleri arayan kullanıcılar için büyük bir ilgi görecek gibi görünüyor. SSD’ler, gömülü sistemler ve daha fazlası için çok önemli bir atak olacak.
Micron’un yeni 276 katmanlı NAND belleği, depolama teknolojisinde beklentileri aşacak görünüyor. Pekala, siz ne düşünüyorsunuz? Görüşlerinizi ve beklentilerinizi aşağıdaki yorumlar kısmında bizimle paylaşabilirsiniz.